台积电在2021年的财报会议上首次公布3nm工艺详情，计划于2022年下半年实现量产。原定于4月的技术论坛延期至8月，表明研发进度按预期进行，尽管面临疫情挑战。台积电决定沿用FinFET技术，因其在成本效益和能效上表现更优，以3nm首发。三星作为主要对手，3nm节点策略更为激进，预计会采用GAA环绕栅极晶体管，但其量产时间同样推迟至2022年，具体时间未定。三星的3nm工艺据称能比7nm FinFET工艺减少50%能耗，提升30%性能。随着3nm工艺的逼近，硅基半导体的潜力似乎接近极限，虽然台积电曾设想推进至2nm甚至1nm，但这些仍是理论上的突破。能否突破技术瓶颈，3nm工艺可能成为CPU等芯片的性能极限。
